80나노 512메가 D램기술 확보..’퓨전메모리’ 출시
연말까지 반도체 라인 70% 나노공정화

삼성전자[05930]가 세계 최초로 70나노 공정을 적용한 4기가 난드(NAND)형 플래시메모리 반도체 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 이와함께 80나노 공정을 적용한 512메가 DDR D램 양산기술을 확보하고 기존 난드 및 노어(NOR)형 플래시의 장점을 융합한 ‘퓨전(Fusion)메모리’도 출시, 세계 메모리 반도체 업계에서 부동의 선두주자임을 재확인했다고 말했다.

삼성전자는 연말까지 메모리반도체 라인의 70%를 0.10㎛(미크론) 미만의 나노공정으로 전환, 생산력을 기존 0.13미크론 공정기술 적용때보다 30-40% 가량 높여 반도체업계 시장지배력을 확고히 할 계획이다.

삼성전자 황창규 메모리사업부 사장은 이날 오전 신라호텔에서 열린 내외신 기자회견을 통해 70나노 공정을 적용한 4기가 난드형 플래시메모리 등 메모리반도체 신기술 및 제품과 향후 전략을 발표했다.

4기가 난드형 플래시메모리는 지난해 발표된 2기가급에 비해 1년만에 집적도가 배가된 것으로 이 제품이 적용될 경우 4기가 바이트급 하드디스크를 대체하고 MP3 음악파일 기준 2천곡과 영화 8시간 저장이 가능한 8기가 바이트급 메모리 카드의 공급도 가능할 것이라고 회사측은 예상했다.

황 사장은 또 지난해 90나노 양산기술 확보 이후 1년만에 80나노 512메가 DDR D램 양산기술을 확보했다고 밝히고 웨이퍼당 칩수의 증가로 현재 주력공정인 0.10 미크론 공정에 비해 90% 이상 생산성 향상이 가능해졌다고 말했다.

80나노 512메가 DDR D램은 D램의 데이터 보유특성(리프레시 특성)을 혁신적으로 개선한 제품으로 저저항 텅스텐(W) 게이트 공정을 적용, 성능을 대폭 향상시켰으며 `저온 고유전’ 산화막 공정을 이용한 D램 셀을 통해 차세대 표준인 DDR3 D램 동작전압인 1.5V 이하에서도 동작이 가능하도록 개발된 것이 특징이다.

본격 양산을 선언한 ‘512메가 퓨전 메모리’는 데이터 읽기 속도가 빨라 코드 저장용으로 주로 응용되고 있는 노어형 플래시의 장점과 고용량 집적도 구현이 용이해 비트당 가격이 저렴하고 노어형 플래시에 비해 쓰기 속도가 20배 이상 빠른 난드형 플래시의 장점을 동시에 수용한 제품이다.

다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 실리콘에 집적화하고, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어까지 동시에 제공하는 일종의 `시스템 메모리’ 제품으로 향후 메모리 사업부의 주력제품으로 떠오를 것으로 회사측은 전망했다.

한편 최근 업계의 관심사인 300㎜ 웨이퍼 전용라인과 관련, 삼성전자는 12라인은 올 3.4분기부터 본격 가동 중이며 특히 12라인에서는 플래시메모리와 D램을 동시에 생산할 계획이라고 밝혔다.

황 사장은 플래시메모리는 현재 품귀현상으로 전체 수요의 40%는 공급을 못하고 있는 실정이라며 삼성전자의 3.4분기 메모리반도체 실적은 2분기때보다 훨씬 좋아질 것이며 메모리 부문 이익도 작년 2조7천억원보다 많을 것이라고 예상했다.

연합